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Vishay Siliconix SIRB40DP-T1-GE3

Name: SIRB40DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRB40DP-T1-GE3
Price: 0.53136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (628 reviews)

Numéro de pièce MFG: SIRB40DP-T1-GE3

quantité disponible: 72710 Pièces

Prix de référence: USD 0.53136

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: TrenchFET® MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SIRB40DP-T1-GE3.pdf

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SIRB40DP-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SIRB40DP-T1-GE3
Numéro de pièce future	FT-SIRB40DP-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchFET®
SIRB40DP-T1-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4290pF @ 20V
Puissance - Max	46.2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	PowerPAK® SO-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur	PowerPAK® SO-8 Dual
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIRB40DP-T1-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SIRB40DP-T1-GE3-FT

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