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Texas Instruments CSD85312Q3E

Name: CSD85312Q3E
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD85312Q3E
Price: 0.30576 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (61 reviews)

Numéro de pièce MFG: CSD85312Q3E

quantité disponible: 10120 Pièces

Prix de référence: USD 0.30576

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Texas Instruments

Brève description: NexFET™ MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: CSD85312Q3E.pdf

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CSD85312Q3E Caractéristiques

Référence fabricant	CSD85312Q3E
Numéro de pièce future	FT-CSD85312Q3E
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	NexFET™
CSD85312Q3E Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Caractéristique FET	Logic Level Gate, 5V Drive
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 10V
Puissance - Max	2.5W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur	8-VSON (3.3x3.3)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD85312Q3E Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	CSD85312Q3E-FT

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