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Vishay Siliconix SIZF300DT-T1-GE3

Numéro de pièce MFG
SIZF300DT-T1-GE3
quantité disponible
73240 Pièces
Prix de référence
USD 0.44968
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® Gen IV MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SIZF300DT-T1-GE3.pdf
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SIZF300DT-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SIZF300DT-T1-GE3
Numéro de pièce future FT-SIZF300DT-T1-GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET® Gen IV
SIZF300DT-T1-GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Puissance - Max 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur 8-PowerPair® (6x5)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZF300DT-T1-GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SIZF300DT-T1-GE3-FT

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