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Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3

Name: SIS903DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS903DN-T1-GE3
Price: 0.371952 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (294 reviews)

Numéro de pièce MFG: SIS903DN-T1-GE3

quantité disponible: 68700 Pièces

Prix de référence: USD 0.371952

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: TrenchFET® Gen III MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SIS903DN-T1-GE3.pdf

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SIS903DN-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SIS903DN-T1-GE3
Numéro de pièce future	FT-SIS903DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchFET® Gen III
SIS903DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2565pF @ 10V
Puissance - Max	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	PowerPAK® 1212-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur	PowerPAK® 1212-8 Dual
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS903DN-T1-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SIS903DN-T1-GE3-FT

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