maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / CSD23280F3
Référence fabricant | CSD23280F3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CSD23280F3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FemtoFET™ |
CSD23280F3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 116 mOhm @ 400mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 0.95V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | -6V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 234pF @ 6V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 3-PICOSTAR |
Paquet / caisse | 3-XFDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD23280F3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD23280F3-FT |
SSM3H137TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J134TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J118TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J108TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J112TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J114TU(T5L,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J114TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J117TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J129TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K106TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation