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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K106TU(TE85L)

Name: SSM3K106TU(TE85L)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K106TU(TE85L)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (195 reviews)

Numéro de pièce MFG: SSM3K106TU(TE85L)

quantité disponible: 76690 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description: π-MOSVI MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SSM3K106TU(TE85L).pdf

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SSM3K106TU(TE85L) Caractéristiques

Référence fabricant	SSM3K106TU(TE85L)
Numéro de pièce future	FT-SSM3K106TU(TE85L)
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	π-MOSVI
SSM3K106TU(TE85L) Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	310 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	36pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	UFM
Paquet / caisse	3-SMD, Flat Leads
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3K106TU(TE85L) Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SSM3K106TU(TE85L)-FT

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