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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J117TU,LF

Numéro de pièce MFG
SSM3J117TU,LF
quantité disponible
22330 Pièces
Prix de référence
USD 0.08052
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Date d'expédition
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fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
U-MOSII MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SSM3J117TU,LF.pdf
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SSM3J117TU,LF Caractéristiques

Référence fabricant SSM3J117TU,LF
Numéro de pièce future FT-SSM3J117TU,LF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries U-MOSII
SSM3J117TU,LF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Température de fonctionnement 150°C
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur UFM
Paquet / caisse 3-SMD, Flat Leads
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SSM3J117TU,LF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SSM3J117TU,LF-FT

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