maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SSM3J112TU,LF
Référence fabricant | SSM3J112TU,LF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SSM3J112TU,LF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SSM3J112TU,LF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 100µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 86pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 800mW (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | UFM |
Paquet / caisse | 3-SMD, Flat Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SSM3J112TU,LF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SSM3J112TU,LF-FT |
TPC8129,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8132,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8133,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TPC8134,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage
TPCP8103-H(TE85LFM
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN3R704PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH6400ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN2R304PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPH5900CNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR9003NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage