maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / CM100E3U-24H
Référence fabricant | CM100E3U-24H |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CM100E3U-24H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IGBTMOD™ |
CM100E3U-24H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type IGBT | - |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100A |
Puissance - Max | 650W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 15nF @ 10V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM100E3U-24H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CM100E3U-24H-FT |
APTGV75H60T3G
Microsemi Corporation
BSM100GAL120DLCKHOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB120DLCHOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB120DLCKHOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB120DN2HOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB120DN2KHOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB170DLCHOSA1
Infineon Technologies
BSM100GB170DN2HOSA1
Infineon Technologies
BSM100GD120DLCBOSA1
Infineon Technologies
BSM100GD120DN2BOSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel