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Référence fabricant | BSM100GD120DN2BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM100GD120DN2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM100GD120DN2BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150A |
Puissance - Max | 680W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 2mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GD120DN2BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM100GD120DN2BOSA1-FT |
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation
APTGT150DU60TG
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APTGT150SK120D1G
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APTGT150SK120TG
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APTGT150SK170D1G
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APTGT150SK60TG
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APTGT200A60TG
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APTGT200DA170D3G
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APTGT200DA60TG
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APTGT200SK120D3G
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A3P030-QNG68
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A54SX16P-TQ144
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XC3S500E-4FG320I
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XC2V80-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484
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M1A3P600-1FG256
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M7A3P1000-PQG208
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5SEE9F45I3N
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LAE3-35EA-6LFN672E
Lattice Semiconductor Corporation