maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM100GB120DN2KHOSA1
Référence fabricant | BSM100GB120DN2KHOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSM100GB120DN2KHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM100GB120DN2KHOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 145A |
Puissance - Max | 700W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 2mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GB120DN2KHOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM100GB120DN2KHOSA1-FT |
APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
A1010B-1VQG80I
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS600-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC484-3
Intel
5SGXEA4K3F40C4N
Intel
M2GL060-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX70HF35C4N
Intel