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Référence fabricant | BSM100GB170DLCHOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM100GB170DLCHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM100GB170DLCHOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
Puissance - Max | 960W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 200µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 7nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM100GB170DLCHOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM100GB170DLCHOSA1-FT |
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ208C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
10AX027E2F29I2SG
Intel
5SGXEA5N3F45I4N
Intel
LFE3-70EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40I3SG
Intel
EP20K200EBC652-2
Intel
EP2AGZ350FF35I3
Intel
EP4SGX70HF35I4N
Intel