maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYM13-50-E3/96
Référence fabricant | BYM13-50-E3/96 |
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Numéro de pièce future | FT-BYM13-50-E3/96 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYM13-50-E3/96 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF |
Package d'appareils du fournisseur | GL41 (DO-213AB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-50-E3/96 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYM13-50-E3/96-FT |
BAS16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS16-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
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