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Référence fabricant | BAS19-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS19-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS19-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS19-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS19-E3-18-FT |
VS-C4PU3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-APH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45APS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PH6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
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LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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EP2AGX95EF35C6ES
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