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Référence fabricant | BAS16-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS16-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS16-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 75V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS16-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS16-E3-18-FT |
VS-65APF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65APS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
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Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU6006LHN3
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VS-APH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45APS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
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Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
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A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Intel
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