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Référence fabricant | VS-90APS12L-M3 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-90APS12L-M3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-90APS12L-M3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 90A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 90A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-90APS12L-M3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-90APS12L-M3-FT |
VS-MBRB735TRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB735TRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB745PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB745TRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB745TRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1520PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1520TRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB1520TRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820TRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel