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Référence fabricant | BAS19-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS19-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS19-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS19-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS19-HE3-08-FT |
VS-45APS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PU3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-C4PH6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation