maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / BYM13-20-E3/97
Référence fabricant | BYM13-20-E3/97 |
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Numéro de pièce future | FT-BYM13-20-E3/97 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BYM13-20-E3/97 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF |
Package d'appareils du fournisseur | GL41 (DO-213AB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-20-E3/97 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BYM13-20-E3/97-FT |
BAS16-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
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AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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