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Référence fabricant | BAS20-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS20-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS20-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS20-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS20-G3-18-FT |
VS-C4PH6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-CPU6006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-35EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PH3012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP40-6FGG676C
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XC4036XL-1HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
EP4CGX50CF23I7N
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5SGXMB9R2H43I2LN
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5SGXEB5R2F43C2N
Intel
XC4028XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29C3N
Intel
EPF10K20RC208-3
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