maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK9M34-100EX
Référence fabricant | BUK9M34-100EX |
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Numéro de pièce future | FT-BUK9M34-100EX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9M34-100EX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 29A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24.7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2844pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 79W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK33 |
Paquet / caisse | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9M34-100EX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK9M34-100EX-FT |
UPA2813T1L-E1-AT
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RJK2009DPM-00#T0
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RJK5015DPM-00#T1
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RJK0391DPA-00#J5A
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
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EP3SE80F780C4
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EPF10K30AQC208-1N
Intel