maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NP33N06YDG-E1-AY
Référence fabricant | NP33N06YDG-E1-AY |
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Numéro de pièce future | FT-NP33N06YDG-E1-AY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NP33N06YDG-E1-AY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 33A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 16.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta), 97W (Tc) |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-HSON |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NP33N06YDG-E1-AY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NP33N06YDG-E1-AY-FT |
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