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Renesas Electronics America RJK2009DPM-00#T0

Name: RJK2009DPM-00#T0
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RJK2009DPM-00#T0
Availability: InStock
Rating: 4.7 (628 reviews)

Numéro de pièce MFG: RJK2009DPM-00#T0

quantité disponible: 14980 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RJK2009DPM-00#T0.pdf

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RJK2009DPM-00#T0 Caractéristiques

Référence fabricant	RJK2009DPM-00#T0
Numéro de pièce future	FT-RJK2009DPM-00#T0
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RJK2009DPM-00#T0 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	40A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	60W (Tc)
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-3PFM
Paquet / caisse	TO-3PFM, SC-93-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK2009DPM-00#T0 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RJK2009DPM-00#T0-FT

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