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Renesas Electronics America RJK6018DPM-00#T1

Numéro de pièce MFG
RJK6018DPM-00#T1
quantité disponible
79230 Pièces
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fabricant
Renesas Electronics America
Brève description
- MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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RJK6018DPM-00#T1 Caractéristiques

Référence fabricant RJK6018DPM-00#T1
Numéro de pièce future FT-RJK6018DPM-00#T1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RJK6018DPM-00#T1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4100pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-3PFM
Paquet / caisse TO-3PFM, SC-93-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RJK6018DPM-00#T1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RJK6018DPM-00#T1-FT

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