maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK9M28-80EX
Référence fabricant | BUK9M28-80EX |
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Numéro de pièce future | FT-BUK9M28-80EX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK9M28-80EX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 33A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16.7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2275pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 75W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK33 |
Paquet / caisse | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9M28-80EX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK9M28-80EX-FT |
UPA2812T1L-E1-AT
Renesas Electronics America
UPA2813T1L-E1-AT
Renesas Electronics America
RJK2009DPM-00#T0
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RJK0391DPA-00#J5A
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NP33N06YDG-E1-AY
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A1020B-VQG80I
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XC6VLX75T-L1FFG484I
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EP4CE75F23C8L
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Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
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EPF10K10QI208-4
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EPF10K30AQC208-3N
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