maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / BUK7K29-100EX
Référence fabricant | BUK7K29-100EX |
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Numéro de pièce future | FT-BUK7K29-100EX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BUK7K29-100EX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 29.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38.1nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2436pF @ 25V |
Puissance - Max | 68W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK56D |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK7K29-100EX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK7K29-100EX-FT |
SQJB00EP-T1_GE3
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Microsemi Corporation
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EP4CGX75CF23I7
Intel
EP2C50F484C8
Intel
EP1C12F256C7N
Intel
5SGXEA5N2F45I3N
Intel
XCKU5P-2SFVB784E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation