maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SIZ790DT-T1-GE3
Référence fabricant | SIZ790DT-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SIZ790DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SkyFET®, TrenchFET® |
SIZ790DT-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A, 35A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 15V |
Puissance - Max | 27W, 48W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-PowerPair™ |
Package d'appareils du fournisseur | 6-PowerPair™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZ790DT-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIZ790DT-T1-GE3-FT |
ALD110904PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908APAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110914PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1110EPAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD111933PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114904APAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114904PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114913PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114935PAL
Advanced Linear Devices Inc.