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Advanced Linear Devices Inc. ALD114935PAL

Numéro de pièce MFG
ALD114935PAL
quantité disponible
97180 Pièces
Prix de référence
USD 3.384
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Date d'expédition
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fabricant
Advanced Linear Devices Inc.
Brève description
EPAD® MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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ALD114935PAL Caractéristiques

Référence fabricant ALD114935PAL
Numéro de pièce future FT-ALD114935PAL
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries EPAD®
ALD114935PAL Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caractéristique FET Depletion Mode
Drain à la tension source (Vdss) 10.6V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 12mA, 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 Ohm @ 0V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.45V @ 1µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Puissance - Max 500mW
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Package d'appareils du fournisseur 8-PDIP
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ALD114935PAL Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ALD114935PAL-FT

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