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Advanced Linear Devices Inc. ALD114913PAL
- Numéro de pièce MFG
- ALD114913PAL
- quantité disponible
- 46780 Pièces
- Prix de référence
- USD 3.07808
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Advanced Linear Devices Inc.
- Brève description
- EPAD® MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- ALD114913PAL.pdf
ALD114913PAL Caractéristiques
| Référence fabricant | ALD114913PAL |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-ALD114913PAL |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | EPAD® |
| ALD114913PAL Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Caractéristique FET | Depletion Mode |
| Drain à la tension source (Vdss) | 10.6V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12mA, 3mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 2.7V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.26V @ 1µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Puissance - Max | 500mW |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Package d'appareils du fournisseur | 8-PDIP |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| ALD114913PAL Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | ALD114913PAL-FT |
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