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Vishay Siliconix SIZ900DT-T1-GE3

Numéro de pièce MFG
SIZ900DT-T1-GE3
quantité disponible
58860 Pièces
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SIZ900DT-T1-GE3.pdf
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SIZ900DT-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SIZ900DT-T1-GE3
Numéro de pièce future FT-SIZ900DT-T1-GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET®
SIZ900DT-T1-GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 15V
Puissance - Max 48W, 100W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-PowerPair™
Package d'appareils du fournisseur 6-PowerPair™
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ900DT-T1-GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SIZ900DT-T1-GE3-FT

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