maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SIZ730DT-T1-GE3
Référence fabricant | SIZ730DT-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SIZ730DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SIZ730DT-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A, 35A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 15V |
Puissance - Max | 27W, 48W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-PowerPair™ |
Package d'appareils du fournisseur | 6-PowerPair™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZ730DT-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIZ730DT-T1-GE3-FT |
ALD110902PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110904PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908APAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110908PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD110914PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD1110EPAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD111933PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114904APAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114904PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114913PAL
Advanced Linear Devices Inc.
A54SX72A-PQG208M
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2N
Intel
5SGXMB9R2H43C2N
Intel
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34E3LG
Intel
EP2AGX125EF29C4
Intel
EP3C40F780C7
Intel