maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSS123L6327HTSA1
Référence fabricant | BSS123L6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSS123L6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SIPMOS® |
BSS123L6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 170mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.67nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 69pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS123L6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSS123L6327HTSA1-FT |
BSS84PH6433XTMA1
Infineon Technologies
2N7002-T1-E3
Vishay Siliconix
2N7002E-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2302DDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2306BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2314EDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2315BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3400A-TP
Micro Commercial Co
2N7002-T1-GE3
Vishay Siliconix
BSS131H6327XTSA1
Infineon Technologies
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel