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Vishay Siliconix 2N7002-T1-GE3

Name: 2N7002-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 2N7002-T1-GE3
Price: 0.12996 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (148 reviews)

Numéro de pièce MFG: 2N7002-T1-GE3

quantité disponible: 79540 Pièces

Prix de référence: USD 0.12996

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fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: - MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: 2N7002-T1-GE3.pdf

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2N7002-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	2N7002-T1-GE3
Numéro de pièce future	FT-2N7002-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
2N7002-T1-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	115mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	200mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-236
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N7002-T1-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	2N7002-T1-GE3-FT

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