maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSS84PH6433XTMA1
Référence fabricant | BSS84PH6433XTMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSS84PH6433XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SIPMOS® |
BSS84PH6433XTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 170mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 170mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 19pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS84PH6433XTMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSS84PH6433XTMA1-FT |
FDN360P
ON Semiconductor
NDS351AN
ON Semiconductor
SI2315BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
FDN306P
ON Semiconductor
SI2302CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2301CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
2N7002K-TP
Micro Commercial Co
FDN304PZ
ON Semiconductor
SI2319DS-T1-E3
Vishay Siliconix
SI2365EDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel