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FDN306P Image

ON Semiconductor FDN306P

Numéro de pièce MFG
FDN306P
quantité disponible
33560 Pièces
Prix de référence
USD 0.128624
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
PowerTrench® MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FDN306P.pdf
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FDN306P Caractéristiques

Référence fabricant FDN306P
Numéro de pièce future FT-FDN306P
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PowerTrench®
FDN306P Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1138pF @ 6V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SuperSOT-3
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDN306P Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FDN306P-FT

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