maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSP100,135
Référence fabricant | BSP100,135 |
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Numéro de pièce future | FT-BSP100,135 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
BSP100,135 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 8.3W (Tc) |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-73 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP100,135 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSP100,135-FT |
PHD63NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD66NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD71NQ03LT,118
Nexperia USA Inc.
PHD77NQ03T,118
NXP USA Inc.
PHD78NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD82NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD96NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHD97NQ03LT,118
Nexperia USA Inc.
PHD98N03LT,118
NXP USA Inc.
PHD9NQ20T,118
Nexperia USA Inc.
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel