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NXP USA Inc. PHD63NQ03LT,118

Name: PHD63NQ03LT,118
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHD63NQ03LT,118
Availability: InStock
Rating: 5.0 (247 reviews)

Numéro de pièce MFG: PHD63NQ03LT,118

quantité disponible: 48030 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PHD63NQ03LT,118.pdf

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PHD63NQ03LT,118 Caractéristiques

Référence fabricant	PHD63NQ03LT,118
Numéro de pièce future	FT-PHD63NQ03LT,118
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchMOS™
PHD63NQ03LT,118 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	68.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.6nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	111W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHD63NQ03LT,118 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PHD63NQ03LT,118-FT

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