maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PHD98N03LT,118
Référence fabricant | PHD98N03LT,118 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PHD98N03LT,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHD98N03LT,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 111W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHD98N03LT,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHD98N03LT,118-FT |
PSMN7R0-100ES,127
Nexperia USA Inc.
PSMN7R8-120ESQ
Nexperia USA Inc.
PSMN7R8-120PSQ
Nexperia USA Inc.
PSMN8R5-108ESQ
NXP USA Inc.
BUK9225-55A,118
Nexperia USA Inc.
PSMN025-100D,118
Nexperia USA Inc.
BUK7275-100A,118
Nexperia USA Inc.
BUK92150-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK7227-100B,118
Nexperia USA Inc.
BUK7240-100A,118
Nexperia USA Inc.
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel