maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM300GB60DLCHOSA1
Référence fabricant | BSM300GB60DLCHOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSM300GB60DLCHOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM300GB60DLCHOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 375A |
Puissance - Max | 1250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 300A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 13nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM300GB60DLCHOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM300GB60DLCHOSA1-FT |
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation
APTGT50A1202G
Microsemi Corporation
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel