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Microsemi Corporation APTGT35H120T1G

Name: APTGT35H120T1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT35H120T1G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (421 reviews)

Numéro de pièce MFG: APTGT35H120T1G

quantité disponible: 14800 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Modules

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APTGT35H120T1G.pdf

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APTGT35H120T1G Caractéristiques

Référence fabricant	APTGT35H120T1G
Numéro de pièce future	FT-APTGT35H120T1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
APTGT35H120T1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type IGBT	Trench Field Stop
Configuration	Full Bridge Inverter
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	55A
Puissance - Max	208W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Courant - Coupure Collecteur (Max)	250µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	Yes
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	SP1
Package d'appareils du fournisseur	SP1
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGT35H120T1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APTGT35H120T1G-FT

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