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Microsemi Corporation APTGT35DA120D1G

Name: APTGT35DA120D1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTGT35DA120D1G
Availability: InStock
Rating: 4.8 (103 reviews)

Numéro de pièce MFG: APTGT35DA120D1G

quantité disponible: 44330 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - IGBT 1200V 55A 205W D1

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - IGBT - Modules

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APTGT35DA120D1G.pdf

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APTGT35DA120D1G Caractéristiques

Référence fabricant	APTGT35DA120D1G
Numéro de pièce future	FT-APTGT35DA120D1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
APTGT35DA120D1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type IGBT	Trench Field Stop
Configuration	Single
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.)	1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	55A
Puissance - Max	205W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 35A
Courant - Coupure Collecteur (Max)	5mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	2.5nF @ 25V
Contribution	Standard
Thermistance NTC	No
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / caisse	D1
Package d'appareils du fournisseur	D1
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGT35DA120D1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APTGT35DA120D1G-FT

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