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Référence fabricant | APTGT35SK120D1G |
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Numéro de pièce future | FT-APTGT35SK120D1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT35SK120D1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 55A |
Puissance - Max | 205W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D1 |
Package d'appareils du fournisseur | D1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT35SK120D1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT35SK120D1G-FT |
APTGF50H60T1G
Microsemi Corporation
APTGF50SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGF50SK120TG
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APTGF75DDA120TG
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XC3S500E-5FTG256C
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XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
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5SGSED6N3F45C2L
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XC5VLX85T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160
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LFE2-50E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C4N
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EP1S40F780I6
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