maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Référence fabricant | BSM25GD120DN2E3224BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM25GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35A |
Puissance - Max | 200W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 800µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM25GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation
APTGT30TL60T3G
Microsemi Corporation
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG676I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQC
Microchip Technology
EP20K300EFC672-2
Intel
5CEFA7F27C7N
Intel
10CL055ZF484I8G
Intel
EP3CLS70F484C8N
Intel
AX1000-2FG676I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144
Microsemi Corporation