maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / APTGT35A120D1G
Référence fabricant | APTGT35A120D1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-APTGT35A120D1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGT35A120D1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 55A |
Puissance - Max | 205W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 35A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D1 |
Package d'appareils du fournisseur | D1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT35A120D1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGT35A120D1G-FT |
APTGF50DSK120T3G
Microsemi Corporation
APTGF50DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGF50DU120TG
Microsemi Corporation
APTGF50H60T1G
Microsemi Corporation
APTGF50SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGF50SK120TG
Microsemi Corporation
APTGF50TA120PG
Microsemi Corporation
APTGF50TDU120PG
Microsemi Corporation
APTGF530U120D4G
Microsemi Corporation
APTGF660U60D4G
Microsemi Corporation
XC4005E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
10AX016C4U19E3LG
Intel
10M50DAF484I6G
Intel
EP4CE22F17C8
Intel
LCMXO640E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29I5G
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel