maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / BCR 133 B6327
Référence fabricant | BCR 133 B6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BCR 133 B6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BCR 133 B6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 130MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR 133 B6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BCR 133 B6327-FT |
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR211V00L
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5SGXMBBR3H43I3LN
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5SGXEA5H2F35I3L
Intel
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LFXP2-17E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30DF780C5
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