maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / UNR211V00L
Référence fabricant | UNR211V00L |
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Numéro de pièce future | FT-UNR211V00L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UNR211V00L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 6 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1.5mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 80MHz |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR211V00L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UNR211V00L-FT |
PBRP113ES,126
NXP USA Inc.
PBRP113ZS,126
NXP USA Inc.
PBRP123ES,126
NXP USA Inc.
PBRP123YS,126
NXP USA Inc.
PDTA113ES,126
NXP USA Inc.
PDTA113ZS,126
NXP USA Inc.
PDTA114ES,126
NXP USA Inc.
PDTA114TS,126
NXP USA Inc.
PDTA114YS,126
NXP USA Inc.
PDTA115ES,126
NXP USA Inc.
LCMXO2-1200HC-6TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A15T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FGG256I
Xilinx Inc.
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP3SL200F1517C3
Intel
XC6VHX380T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
XC4VFX100-10FF1152I
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation