maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / PBRP123YS,126
Référence fabricant | PBRP123YS,126 |
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Numéro de pièce future | FT-PBRP123YS,126 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PBRP123YS,126 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 500mW |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBRP123YS,126 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PBRP123YS,126-FT |
FJN3302RBU
ON Semiconductor
FJN3303RBU
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FJN3311RBU
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XC6SLX150-3FGG484I
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APA450-FGG256I
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AT40K10-2CQC
Microchip Technology
10CL055YF484C8G
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Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
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LFX125EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27I1SG
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