maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / BCR512E6327HTSA1
Référence fabricant | BCR512E6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BCR512E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BCR512E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 100MHz |
Puissance - Max | 330mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR512E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BCR512E6327HTSA1-FT |
PBRP123YS,126
NXP USA Inc.
PDTA113ES,126
NXP USA Inc.
PDTA113ZS,126
NXP USA Inc.
PDTA114ES,126
NXP USA Inc.
PDTA114TS,126
NXP USA Inc.
PDTA114YS,126
NXP USA Inc.
PDTA115ES,126
NXP USA Inc.
PDTA115TS,126
NXP USA Inc.
PDTA123ES,126
NXP USA Inc.
PDTA123JS,126
NXP USA Inc.
XC5206-6PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8N
Intel
10CX150YF672I6G
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQC240-2X
Intel