maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DRA2124T0L
Référence fabricant | DRA2124T0L |
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Numéro de pièce future | FT-DRA2124T0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRA2124T0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G3-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2124T0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRA2124T0L-FT |
PDTA114TS,126
NXP USA Inc.
PDTA114YS,126
NXP USA Inc.
PDTA115ES,126
NXP USA Inc.
PDTA115TS,126
NXP USA Inc.
PDTA123ES,126
NXP USA Inc.
PDTA123JS,126
NXP USA Inc.
PDTA123YS,126
NXP USA Inc.
PDTA124ES,126
NXP USA Inc.
PDTA124TS,126
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PDTA124XS,126
NXP USA Inc.
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
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