maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAT15099RE6327HTSA1
Référence fabricant | BAT15099RE6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAT15099RE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT15099RE6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky - 1 Bridge |
Tension - Inverse de crête (Max) | 4V |
Courant - Max | 110mA |
Capacité @ Vr, F | 0.5pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 100mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT143-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT15099RE6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT15099RE6327HTSA1-FT |
MEST2G-150-10-CM32
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