maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MADP-011037-13900T
Référence fabricant | MADP-011037-13900T |
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Numéro de pièce future | FT-MADP-011037-13900T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MADP-011037-13900T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 400V |
Courant - Max | 250mA |
Capacité @ Vr, F | 0.3pF @ 50V, 1GHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 5W |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Paquet / caisse | 16-LFQFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 16-HQFN (3x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MADP-011037-13900T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MADP-011037-13900T-FT |
BA277,115
NXP USA Inc.
BA277,135
NXP USA Inc.
BA277,335
NXP USA Inc.
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
MADP-007455-12790T
M/A-Com Technology Solutions
BA792,115
NXP USA Inc.
BAP51-03,115
NXP USA Inc.
BA591,115
NXP USA Inc.
LFEC1E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL005-1FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG400
Microsemi Corporation
10AX048K4F35E3SG
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
APA150-TQG100A
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG144
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29I3
Intel